مشخصات
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to 1,400,000 IOPS
کنترل کننده
Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to 1,550,000 IOPS
نوع رابط حافظه
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500g , 0.5ms
میانگین عمر
1.5 میلیون ساعت
قابلیتهای حافظه
پشتیبانی از TRIM
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to 6,900 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to 7,450 MB/s
مصرف برق
Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
رابطها
PCI-Express 4.0 x4
قابلیت پشتیبانی از سیستم عاملهای
Client PCs, Game Consoles